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產地:武漢

規格:PMST2210

公司所在地:湖北武漢

電話:18140663476

1993323884  
詳細信息

IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的簡單介紹

集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件靜態參數,具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻、nA級漏電

IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的詳細信息

IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統特點

高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(蕞大擴展至12kV);
大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯);
高精度:支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試;
模塊化設計:內部采用模塊化配置,可添加或升級測量單元;
測試效率高:可自動切換、一鍵測試;
溫度范圍廣:支持常溫、高溫測試;
兼容多種封裝:根據測試需求可定制夾具;



系統參數

項目

參數

集電極-發射極

蕞大電壓

3500V(可拓展至12KV)

最大電流

1000A(可拓展至6000A)

準確度

±0.1%

大電壓上升沿

典型值5ms

大電流上升沿

典型值15μs

大電流脈寬

50μs~500μs

漏電流測試量程

1nA~100mA

柵極-發射極

蕞大電壓

300V

蕞大電流

1A(直流)/10A(脈沖)

準確度

±0.05%

最小電壓分辨率

30μV

最小電流分辨率

10pA

電容測試

典型精度

±0.5%

頻率范圍

10Hz~1MHz

電容值范圍

0.01pF~9.9999F

溫控

范圍

25℃~200℃

準確度

±2℃



測試項目

二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF 正向電流IF、電容值CdI-V曲線、C-V曲線

三極管:V(BR)CEOV(BR)CBOV(BR)EBOICBOVCE(sat)VBE(sat)、ICIBCeb 增益hFE,輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CESIDSS/ICESVCE(sat)RDS(on)VSD/VFVGS(th)/、VGE(th)IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下):IFVFV(BR)CEOVCE(sat)ICEOIR、輸入電容CT、輸出電容CCE 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO


測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產品,普賽斯提供整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產品的測試。


以上是IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的詳細信息,如果您對IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問,請聯系我們獲取IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的最新信息

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