【摘要】GE全球研發(fā)中心科學(xué)家進(jìn)一步推進(jìn)了微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)，開發(fā)出新一代超微型開關(guān)，將對系統(tǒng)設(shè)計帶來重大影響，從而將會推動未來移動設(shè)備的發(fā)展。樣品測試顯示，GE的射頻微電子系統(tǒng)能夠加快數(shù)據(jù)傳輸速度，提升信號質(zhì)量，延長電池使用壽命。

    GE全球研發(fā)中心科學(xué)家進(jìn)一步推進(jìn)了微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)，開發(fā)出新一代超微型開關(guān)，將對系統(tǒng)設(shè)計帶來重大影響，從而將會推動未來移動設(shè)備的發(fā)展。樣品測試顯示，GE的射頻微電子系統(tǒng)能夠加快數(shù)據(jù)傳輸速度，提升信號質(zhì)量，延長電池使用壽命。

    這類金屬開關(guān)的大小甚至不及一根頭發(fā)絲的寬度，能夠控制一系列電氣系統(tǒng)的電流，從應(yīng)用千瓦級功率的設(shè)備到普通燈泡。這一開關(guān)的使用范圍包括手持電子設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和防護(hù)設(shè)備。利用GE研究員研制的獨(dú)特材料組合，GE的MEMS開關(guān)能夠在極端運(yùn)行條件下，比如高溫，運(yùn)行數(shù)十億次 ，同時但能夠保持極低的接觸電阻。

    在顯微鏡下觀測，置于一枚美國一角硬幣上的晶元包含400個MEMS開關(guān)。此器件由GE金屬M(fèi)EMS技術(shù)制成，能在這么微小的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上，可控制多達(dá)1千瓦的能量。若需在移動設(shè)備上應(yīng)用，此項(xiàng)技術(shù)可按比例縮小并微型化處理。該射頻開關(guān)，能夠滿足射頻前端模塊以及下一代LTE增強(qiáng)型移動網(wǎng)絡(luò)對無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品的要求。

    GE技術(shù)授權(quán)部門負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)拓展的副總裁Chris Giovanniello說：“移動及平板電腦每年擁有20億美元的市場規(guī)模，而且這些設(shè)備日趨整合成一體。先進(jìn)的天線及無線技術(shù)不可或缺，GE先進(jìn)金屬M(fèi)EMS技術(shù)制成的設(shè)備有潛力提供這種不斷提高的性能要求，而價格與絕緣體上硅, 砷化鎵或其他半導(dǎo)體技術(shù)相比，更具競爭優(yōu)勢。”