三星開發半導體晶圓級單晶石墨烯新工藝
作者： 2014年04月11日 來源： 瀏覽量：
字號：T | T
【摘要】三星電子近日宣布，三星先進技術研究所（SAIT）與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。
【摘要】三星電子近日宣布，三星先進技術研究所（SAIT）與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。
三星電子近日宣布，三星先進技術研究所（SAIT）與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶，具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說，“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化，并可能開創消費電子技術的新時代。”
石墨烯具有比硅（現今在半導體中最廣泛使用的材料）高百倍以上的電子遷移率，比鋼更耐用，并具有高的熱傳導性以及靈活性，這使得它成為柔性顯示器、可穿戴設備等下一代電子設備的理想材料。
全球化工設備網（http://www.zxgqho79194.cn ）友情提醒，轉載請務必注明來源:全球化工設備網！違者必究.
相關資訊
免責聲明：1、本文系本網編輯轉載或者作者自行發布，本網發布文章的目的在于傳遞更多信息給訪問者，并不代表本網贊同其觀點，同時本網亦不對文章內容的真實性負責。
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯系：+86-571-88970062
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網聯系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯系：+86-571-88970062
推薦資訊