我國自主研發的高壓大功率3300V/50A IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊，今天通過專家鑒定。中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。

    由中國北車設計開發的3300V/50A IGBT芯片，是國內首件自主設計制造的高壓IGBT芯片，邁開了國產IGBT功率“芯臟”替代進口的步伐。

    IGBT作為新一代功率半導體器件，具有驅動容易、控制簡單、開關頻率高、導通電壓低、通態電流大、損耗小等優點，是自動控制和功率變換的關鍵核心部件，被廣泛應用在軌道交通裝備、電力系統、工業變頻、風電、太陽能、電動汽車和家電產業中。如在軌道交通領域，牽引傳動系統是動車組、機車等裝備的核心部件，而IGBT又是牽引傳動系統的核心部件，是“核心中的核心”。

    采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和用電質量，節能30%以上。

    目前中國已經成為IGBT的最大消費國，年需求量超過75億元，而且每年以30%以上的速度增長。有關資料預測，到2020年，軌道交通電力牽引每年IGBT模塊的市場規模不低于10億元，智能電網不低于4億元。

    由于起步較晚、研發難度大，此前國內IGBT芯片設計主要集中在民用級1200V IGBT上，工業級和牽引級的高壓大功率IGBT基本依賴進口。中國北車3300V IGBT芯片自主設計的成功，填補了這一領域空白。

    中國北車3300V IGBT芯片的自主開發成功，也標志著中國北車在高端IGBT領域形成了設計制造、模塊封裝完整的產業鏈。