日本研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，可以擁有類似硅等半導(dǎo)體的特性。研究人員認(rèn)為，這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了對(duì)于半導(dǎo)體材料的傳統(tǒng)認(rèn)知，有助于推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域發(fā)展。

　　傳統(tǒng)意義上，金屬和半導(dǎo)體被嚴(yán)格區(qū)分，金屬一般導(dǎo)電性能好，而半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，導(dǎo)電性可受控制。用硅等常見半導(dǎo)體材料制造的晶體管廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

　　京都大學(xué)研究小組發(fā)現(xiàn)，在一種名為釔鐵石榴石的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，它可以像半導(dǎo)體一樣，通過外部電壓控制電阻。

　　此外，研究人員還發(fā)現(xiàn)鉑能夠大幅調(diào)節(jié)和控制自旋軌道耦合這一效應(yīng)。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運(yùn)動(dòng)之間的相互作用，在自旋電子學(xué)等研究中扮演關(guān)鍵角色。半導(dǎo)體或其他新材料的研究常常會(huì)涉及這一效應(yīng)。

　　研究小組稱，這一發(fā)現(xiàn)與傳統(tǒng)的固體物理學(xué)常識(shí)不符，將有助于電子學(xué)和自旋電子學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。這一研究成果已發(fā)表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。