新型差壓變送器耐高過載壓力裝置獲國家發(fā)明授權專利

作者： 2018年02月02日來源：瀏覽量：

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【中國化工儀器網(wǎng)產(chǎn)品新聞】創(chuàng)意無極限，科技大發(fā)明。筆者日前了解到，由福建上潤精密儀器有限公司申請的國家發(fā)明授權專利——一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置于2017年6月6日獲得授權公告。本

【中國化工儀器網(wǎng) 產(chǎn)品新聞】創(chuàng)意無極限，科技大發(fā)明。筆者日前了解到，由福建上潤精密儀器有限公司申請的國家發(fā)明授權專利——一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置于2017年6月6日獲得授權公告。本發(fā)明涉及壓力/差壓變送器系列產(chǎn)品，具體說是一種保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置。今天我們就來介紹一下這款新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置。

　　現(xiàn)有用單晶硅的壓阻效應制做的壓力/差壓變送器采用了單晶硅的壓阻轉換電信號的檢測方式，將作用在硅傳感元件正壓腔和負壓腔的壓力變化，使設置在單晶硅表層的橋臂電阻發(fā)生變化量，經(jīng)壓力/差壓變送器上的低功耗電子電路轉換成與被測壓力/差壓量相對應的4-20mA電流信號及數(shù)字顯示，由于工業(yè)場合使用的壓力/差壓變送器的測量介質本身的靜態(tài)壓力或過載壓力，有可能大大超過單晶硅本身所能承受的壓力，造成單晶硅的損壞。因此要提供一種既能真實傳導檢測介質的壓力又要保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置，已成為當務之亟。

　　為了克服現(xiàn)有產(chǎn)品的缺陷，本發(fā)明的目的是要提出結構簡單，使用方便，工作安全和穩(wěn)定的一種保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置。

圖為本發(fā)明剖視結構視圖

　　本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置，特征是：有一個正壓腔基座，正壓腔基座的側邊設置有負壓腔基座，正壓腔基座和負壓腔基座內端波紋面之間設置有中心膜片，中心膜片與正壓腔基座和負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面固定一起；正壓腔基座和負壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上端固定有連接件，正壓腔基座伸入至連接件的中間上端設置有硅傳感器，硅傳感器中心靠下端處設置有硅片；正壓腔基座內外端波紋面軸線上設置有一端通正壓腔基座外端波紋面、另一端通正壓腔基座內端波紋面的下正壓腔引壓孔，正壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線平行且一端通正壓腔基座內端波紋面的中正壓腔引壓孔，正壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線垂直且一端通正壓腔基座與硅傳感器縫隙、另一端與中正壓腔引壓孔的一端相通的中上正壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上正壓腔引壓孔垂直且一端通中上正壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上正壓腔引壓孔。

　　負壓腔基座內外端波紋面軸線上設置有一端通負壓腔基座外端波紋面、另一端通負壓腔基座內端波紋面的下負壓腔引壓孔，負壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線平行且一端通負壓腔基座內端波紋面的中負壓腔引壓孔，負壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與中負壓腔引壓孔垂直且一端通負壓腔基座和正壓腔基座結合錐面、另一端與中負壓腔引壓孔的一端相通的上負壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有一端通正壓腔基座和負壓腔基座結合錐面、且與上負壓腔引壓孔通向負壓腔基座和正壓腔基座結合錐面處端口重合的下端負壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上正壓腔引壓孔平行且一端通正壓腔基座和連接件縫隙、另一端和下端負壓腔引壓孔的一端相通的中上端負壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上端負壓腔引壓孔垂直、與上正壓腔引壓孔平行且一端通中上端負壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上端負壓腔引壓孔。

　　正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔中間設置有硅油；正壓腔基座的內端設置有緊定螺釘，緊定螺釘中心上端設置有與正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔配合的密封鋼球。

　　所述的正壓腔基座與負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面相互固定，且兩基座內與隔離膜片軸向垂直的引壓孔方向一致以及負壓腔基座的引壓孔出口與負壓腔基座的引壓孔在正壓腔基座上的部分進口一致對準。

　　所述的正壓側基座與負壓側基座的基座外端波紋面與隔離膜片之間、引壓孔內、兩基座內端波紋面與中心膜片之間、正壓腔基座與硅傳感器之間及硅傳感器與螺紋連接件縫隙形成的腔體內設置有硅油。

　　本發(fā)明在正壓腔中心及內部設置有正壓腔引壓孔的基座外端波紋面外固定有隔離膜片；負壓腔中心及內部設置有負壓腔引壓孔的基座外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上方外周固定有用連接件的連接件；連接件的內部正壓腔基座的上方固定有硅傳感器；硅傳感器上面外周界固定在連接件內。

　　本發(fā)明基座隔離膜片、中心膜片、硅傳感器、連接件為金屬材料。引壓孔、波紋面是由機械加工完成的。固定是由焊接固定的。硅油是經(jīng)高溫、高真空下處理過的硅油灌注的。

　　本發(fā)明的有益效果是：由于本發(fā)明解決了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型結構。當正常待測介質的壓力作用于兩邊隔離膜片上，一邊經(jīng)正壓腔基座內的硅油傳遞到硅傳感器內硅片的正壓受壓面，另一邊經(jīng)負壓基腔座內的硅油傳遞到硅傳感器內硅片的負壓受壓面。當待測介質的壓力超出壓力/差壓變送器正常測量的壓力時，正壓腔基座、負壓腔基座兩邊的隔離膜片會貼住正壓腔基座、負壓腔基座中心的引壓孔，這樣就阻隔了壓力的傳遞，也就實現(xiàn)了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型結構。

　　編輯點評

　　新型差壓變送器耐高過載壓力裝置的結構能夠有效地解決了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞。同時具有結構簡單，使用方便，工作安全和穩(wěn)定等優(yōu)點。希望新型差壓變送器耐高過載壓力裝置此次獲得國家發(fā)明授權專利之后能為保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞做出貢獻。

　　（原標題：【儀表最新專利】新型差壓變送器耐高過載壓力裝置）

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