近日，中國科學院微電子研究所研究員陳大鵬團隊聯合江蘇艾特曼電子科技有限公司，依托研究所8英寸 CMOS工藝平臺，完成了高精度三軸加速度計產品工藝的開發與驗證，經客戶測試，器件性能良好，符合設計預期。

　　針對產業界對MEMS代工的迫切需求，微電子所科研人員以高精度三軸加速度計開發為牽引展開攻關，致力于在現有8英寸硅工藝線上實現與CMOS工藝兼容的通用MEMS加工平臺技術，成功開發出大深寬比MEMS結構刻蝕、MEMS與ASIC晶圓堆疊、TSV電學連接及晶圓級蓋帽鍵合封裝等關鍵工藝技術的量產，最終實現了TSV的ASIC晶圓、MEMS結構晶圓及蓋帽晶圓的三層鍵合工藝，并順利交付首款三軸加速度計產品。

　　目前，微電子所在現有8英寸硅工藝線基礎上，形成了適用于多種MEMS傳感器件（高精度兩軸、三軸加速度計、高度計、壓力、紅外熱敏等）加工的Post CMOS-MEMS標準工藝，并實現了該工藝技術平臺化的開發，可為MEMS設計單位提供產品工藝研發與批量加工服務。

圖1. 8英寸三軸加速度計產品晶圓 

圖2. 三軸加速度計產品Die 

圖3. 三軸加速度計產品剖面SEM圖