研究人員證明了鋁摻雜氧化鋅（AZO）制造出的光學(xué)薄膜材料是可調(diào)制的。他們用鋁摻雜氧化鋅，在氧化鋅中浸滿(mǎn)了鋁原子以改變材料的光學(xué)性質(zhì)，使它在特定波長(zhǎng)下變得像一種金屬，而在其他波長(zhǎng)下像高電阻介質(zhì)。

　　AZO薄膜的折射率接近于零，它能利用電子云狀的表面等離激元來(lái)控制光。脈沖激光會(huì)改變AZO的折射率，從而調(diào)制反射光的量。這種材料能在近紅外光譜范圍工作，可用在光通訊中，并與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容。

　　研究人員的設(shè)想是利用這種材料來(lái)創(chuàng)造一種“全光等離子調(diào)制器”，或叫光學(xué)晶體管。在電子設(shè)備中，硅基晶體管負(fù)責(zé)開(kāi)關(guān)電源、放大信號(hào)。光學(xué)晶體管是用光而不是電來(lái)執(zhí)行類(lèi)似任務(wù)，會(huì)使系統(tǒng)運(yùn)行大大加速。

　　用脈沖激光照射這種材料，材料中的電子會(huì)從一個(gè)能級(jí)（價(jià)帶）移動(dòng)到更高能級(jí)（導(dǎo)帶），留下空穴，并最終與這些空穴再次結(jié)合。晶體管開(kāi)關(guān)的速度受限于完成這一周期的時(shí)間。在他們的AZO薄膜中，這一周期約為350飛秒，比晶體硅要快約5000倍。把這種速度提升轉(zhuǎn)化到設(shè)備中，至少比傳統(tǒng)硅基電子設(shè)備要快10倍。