【摘要】記者3日從北京大學獲悉，該校化學與分子工程學院李彥教授課題組在單壁碳納米管手性可控生長研究上取得重要突破。該研究為解決單壁碳納米管的結構可控生長這一困擾學界已久的難題提供了一種可能的方案，為碳納米管的應用，尤其是碳基電子學的發展奠定了基礎。

    記者3日從北京大學獲悉，該校化學與分子工程學院李彥教授課題組在單壁碳納米管手性可控生長研究上取得重要突破。該研究為解決單壁碳納米管的結構可控生長這一困擾學界已久的難題提供了一種可能的方案，為碳納米管的應用，尤其是碳基電子學的發展奠定了基礎。

    業界預測，基于硅基CMOS集成電路的微電子技術在未來十年左右將趨近于發展的極限，發展后摩爾時代的納電子技術已迫在眉睫。2009年，國際半導體路線圖委員會推薦基于碳納米管和石墨烯的碳基電子學技術作為未來10年至15年可能顯現商業價值的新一代電子技術。

    材料是碳基電子學發展的基礎和關鍵，然而迄今人們仍沒有辦法實現碳納米管的結構可控生長，這已經成為制約碳基電子學發展的瓶頸問題。李彥教授課題組經過12年的潛心研究，逐步深化了對碳納米管的生長機制和催化劑作用的認識，在此基礎上提出了一種實現單壁碳納米管結構/手性可控生長的方案。

    李彥和她的同事發展了一類鎢基合金催化劑，其高熔點的特性確保了單壁碳納米管在高溫環境下的生長過程中保持晶態結構，其獨特的原子排布方式可用來調控生長的碳納米管的結構，從而實現了單壁碳納米管的結構/手性可控生長。

    該成果日前在《自然》雜志上發表。(完)