客戶咨詢：
導體
黑磷新型半導體材料 石墨烯替代概念騰飛(2016-06-23)
導讀：據中科院消息，固體所物質計算科學研究室鄒良劍研究員與中國科技大學陳仙輝教授研究團隊以及香港大學沈順清教授合作，在靜水壓調控塊體黑磷的電子結構研究方面取得重要進展，證明壓力下黑磷可…[詳情]
化學所在有機共軛聚合物半導體研究方面取得系列進展(2016-06-22)
近年來，有機共軛聚合物由于具有優異的半導體性質，其研究受到廣泛關注。人們發現聚合物的側鏈不僅可以提高聚合物在有機溶劑中的溶解性，而且可以影響聚合物的半導體性能。 在中國科學院戰略性先導…[詳情]
半導體封裝測試技術與市場年會召開 聚焦集成電路(2016-06-17)
6月15日，第十四屆中國半導體封裝測試技術與市場年會在南通舉行，多位與會專家認為，大陸的集成電路封測產業已崛起，部分領軍企業進入了世界第一梯隊，但也面臨諸多新的挑戰。 在國家相關政策的…[詳情]
第十四屆中國半導體封裝測試技術會召開(2016-06-16)
在6月15日于南通召開的第十四屆中國半導體封裝測試技術與市場年會上，國家集成電路產業投資基金（CICF大基金）總經理丁文武表示，大基金接下來需要關注存儲器戰略、新興產業和熱點、行業并購等三大問…[詳情]
半導體公司Dialog推出兩款電源管理集成電路(2016-06-16)
Dialog半導體公司推出的DA9061和DA9062電源管理集成電路（PMIC）現已批量供貨。這兩款高效、成本優化的PMIC能夠為廣泛的基于處理器的器件供電。相關應用包括手持式消費電子產品、工業級嵌入式、智能家…[詳情]
半導體所在Si襯底上生長Ga基半導體納米線研究中取得進展(2016-06-02)
Si是現代CMOS工藝不可或缺的材料，而III-V族半導體廣泛應用于光電子、超高速微電子和超高頻微波等器件中。長期以來，科學家們試圖在Si襯底上外延高質量III-V族半導體。但由于晶格不匹配會導致生長的…[詳情]
具有鐵電半導體光電效應的晶體材料研究獲進展(2016-05-04)
具有非中心對稱結構的極性光電功能晶體材料以自發極化為基礎，表現出優異的非線性光學、壓電、熱釋電和鐵電等光電性能。但只有結晶在10種極性點群的化合物才能夠產生極化效應，如何創新極性光電功能…[詳情]
半導體所等在各向異性二維材料物性研究方面取得系列進展(2016-04-21)
二維層狀晶體材料，比如石墨烯和二硫化鉬（MoS2）等，具有優良的電學性能和光學性能，因此被期待可用來發展更薄、導電速度更快的新一代電子元件、晶體管和光電器件。近幾年來，平面內各向異性的二維晶體…[詳情]
光電所在半導體材料特性測量技術方面取得進展(2016-04-07)
半導體材料是微電子器件和光伏器件的基礎材料，其雜質和缺陷特性嚴重影響器件性能。隨著微電子器件集成度和光伏器件轉換效率的提高，對半導體原材料的要求越來越高。為了滿足工業化生產的需求，相應…[詳情]
金屬所研制出窄帶隙分布半導體性單壁碳納米管(2016-03-31)
單壁碳納米管（SWCNT）因碳原子排布方式不同可表現為金屬性或半導體性，其中半導體性SWCNT具有納米尺度、良好的結構穩定性、可調的帶隙和高載流子遷移率，被認為是構建高性能場效應晶體管的理想溝道材…[詳情]